EV、HEV用IGBT???/h1>
采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT???产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

产品信息

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EV、HEV用IGBT???650V级

※点击产品图像即可查看等效电路图。

VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

Package Device type VCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams

M651
6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

M652
6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

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:更新

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